高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films)

Seramic SI
高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films)
特點:用浸塗或自旋塗佈提供耐熱絕緣層
電子 – 半導體設計和電容的絕緣層
光學 –玻璃和石英表面的防擴散
說明:
Seramic SI is a -chloroethylsilsesquioxane solution in methoxypropanol.
薄膜特性:
透明
介電常數: 3.2-३.6
折射率:
硬化前-- १.५
硬化後-- 2.1-2.2
溶液性質
固含量 14-16%
密度 0.96 g/cc
黏度 3-5 cSt.
閃點 35°C
儲存: 5°C下密封,6個月. 打開前先加溫到 15°C
注意:
在通風無火源下使用, 避免皮膚和眼睛直接接觸
使用方法:
熱固化型-
用浸塗或自旋塗佈, 溶劑揮發後, 300°C 下加熱 30-60分鐘
自旋塗佈, 塗膜的厚度大約 1500-2000 Å
如果需要更薄, 可以用methoxypropanol 或diglyme 稀釋. 加熱過程有少量的乙稀和鹽酸氣體釋出
UV固化型- -
藉 deep UV (<210nm) 固化. 深紫外線照射區耐溶劑侵蝕, 未曝光區域可用溶劑洗去,
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